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Título : Manufacture of thin film memcapacitor aluminum oxide nanopores filled with copper oxide by electrochemical self-organizing template
Autor : González Vázquez, Gema
Zapata Gavilanes, Richard Santiago
Palabras clave : Oxido de aluminio
Nanoporos
Nano alambres
Conmutación resistiva
Impedancia electroquímica
Memcapacitor
Aluminum oxide
Nano pores
Nano wires
Resistive switching
Electrochemical impedance
Fecha de publicación : ene-2021
Editorial : Universidad de Investigación de Tecnología Experimental Yachay
Resumen : El presente proyecto muestra la fabricación de una película delgada con una densidad aproximada de 1.1 x 10^15de memcapacitors por m^2. El material modificado está compuesto por nano-poros de óxido de aluminio (AO) y dopado con alambres de nano-óxido de cobre (wCuOx). El material de partida para hacer el electrodo fue aluminio y mediante anodización electroquímica se obtuvo una membrana porosa de óxido de aluminio (AAO). A continuación, se utilizó AAO como sustrato para depositar wCuOx dentro de los poros para formar un material AOO / CuO. La caracterización morfológica de las películas obtenidas se realizó con un microscopio de fuerza atómica, microscopía electrónica de barrido y espectroscopía de rayos X de energía dispersiva. Y para caracterizar las propiedades eléctricas se utilizó voltamperometría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica. Los resultados experimentales obtenidos mostraron un tamaño de poro de 50-200 nm con una profundidad de 40 um. La voltamperometría cíclica mostró el bucle de histéresis de conmutación resistiva característico de un condensador de memoria que muestra la variación de resistencia que va de 0 a 22,5 k\ohm. La espectroscopia de impedancia electroquímica mostró un valor de capacitancia de 1,14X 10^(-5)F para la alúmina y 6,82X 10^(-6)F para el material AOO / CuO
Descripción : The present project shows the manufacture of a thin film with a density approximate of 1.1 x 10^15of memcapacitors per m^2. The modified material is composed of nano-pores aluminum oxide (AO) and doped with nano-copper oxide wires (wCuOx).The starting material to make the electrode was aluminum and using electrochemical anodization an porous aluminum oxide membrane (AAO) was obtained. Next, AAO was used as a substrate to deposit wCuOx inside the pores to form a AOO/CuO material. The morphological characterization of the films obtained was done with an atomic force microscope, scanning electron microscopy and Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy. And to characterize the electrical properties, cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy were used. The experimental results obtained showed a pore size of 50-200~nm with a depth of 40~um. The cyclic voltammetry showed the characteristic resistive switching hysteresis loop of a memcapacitor showing the resistance variation ranging from 0 to 22.5~k\ohm. The electrochemical impedance spectroscopy showed a capacitance value of 1.14X10^(-5)F for the alumina and 6.82X10^(-6)F for AOO/CuO material
URI : http://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/301
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