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dc.contributor.advisorPinto Esparza, Henry Paúl-
dc.contributor.authorSalazar Mejía, Joshua Mateo-
dc.date.accessioned2020-07-13T16:03:28Z-
dc.date.available2020-07-13T16:03:28Z-
dc.date.issued2020-07-
dc.identifier.urihttp://repositorio.yachaytech.edu.ec/handle/123456789/194-
dc.descriptionMolecular electronics development requires the effective electronic isolation of a given molecule with the substrate as well as a precise atomic manipulation1. In this work, we study the CaF2/Si(100) interface that it is currently used for electronic manipulation of molecules at the nanoscale. This interface has been already grown experimentally for certain coverage regime2,3. Unfortunately, to the best of our knowledge, an accurate description of the stripe formation of CaF2/Si(100) interface remains unsolved3. In order to solve this problem, we propose a theoretical study of this interface using density-functional theory (DFT) to obtain the electronic structure and the most likely atomic configurations of the interface. The generalized gradient approximation functionals tend to fail when describing the correct cohesive energies between the layers in this kind of systems. To accurately simulate such systems it is needed to take into account the weak van der Waals interactions arising between the CaF2 and the Si(100) surface. In this work, we will use a van der Waals density functional (vdW-DF) approach4. Employing this functional, we investigate the configuration and energetics of several interfaces, the simulated scanning tunneling microscopy (STM) images of the most stable interfaces will be generated and compared directly with the experiment.es
dc.description.abstractEl desarrollo de la electrónica molecular requiere la efectiva manipulación de una molécula sobre su sustrato, y también una manipulación precisa a escala atómica1. En el siguiente trabajo se estudiará la interfaz de CaF2/Si(100) que actualmente es usada para la manipulación electrónica de moléculas a escala nanométrica. Esta interfaz ha sido construida experimentalmente hasta cierto régimen de recubrimiento2,3. Desafortunadamente, hasta donde sabemos, una descripción acertada de la formación en forma de franjas de la interfaz de CaF2/Si(100) sigue sin resolverse3. Para resolver este inconveniente proponemos un estudio teórico de esta interfaz usando la teoría del funcional de la densidad (Density Funtional Theory, DFT) para obtener la configuración electrónica y estructura atómica más probable de la interfaz. Las aproximaciones de gradiente generalizado tienden a fallar al describir las energías de cohesión entre las capas de este tipo de sistemas. Para simularlos adecuadamente es necesario tomar en cuenta las interacciones débiles de van der Waals que surgen entre el CaF2 y la superficie de Si(100). En este trabajo se emplearán funcionales de densidad que usen van der Waals4 para investigar la configuración y energías de varias interfaces. Además sus respectivas energías, imágenes de STM simuladas de las estructuras con más estabilidad serán generadas y comparadas directamente con experimentos.es
dc.language.isoenges
dc.publisherUniversidad de Investigación de Tecnología Experimetal Yachayes
dc.rightsopenAccesses
dc.subjectDensity Funtional Theoryes
dc.subjectvan der Waals -- Density Functionales
dc.subjectScanning Tunneling Microscopyes
dc.titleSolving the atomic structure of ultra-thin CaF2 layers on the Si(100) surfacees
dc.typebachelorThesises
dc.description.degreeFísico/aes
dc.pagination.pages81 páginases
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